재료상변태 [7] Single/ Binary Phase에서 Equilibrium Condition과 Unlimited Solubility & Ideal Solution 등재료상변태 [6] Chemical potential과 Activity/ Activity Coefficient재료상변태 [5] Binary System에서 Ideal solution과 Regular Solution재료상변태 [4] Heat Capacity(열용량), Enthalpy(엔탈피), Entropy(엔트로피), Gibbs Free Energy재mayunchem.tistory.com 1. 온도와 Gibbs Free Energy 1-1. 온도를 낮췄을 때 자유 에너지의 변화 온도를 낮추면 자유 에너지에 어떤 변화가 생길까?  1) Gi..

재료상변태 [6] Chemical potential과 Activity/ Activity Coefficient재료상변태 [5] Binary System에서 Ideal solution과 Regular Solution재료상변태 [4] Heat Capacity(열용량), Enthalpy(엔탈피), Entropy(엔트로피), Gibbs Free Energy재료상변태 [3] 열역학 제 0법칙/ 1법칙/ 2법칙/ 3법칙재료mayunchem.tistory.com 1. 단일 상(Single Phase)에서의 자유 에너지와 확산, 평형 조건 1-1. 단일 상에서 조성이 다를 때 자유에너지의 변화 자유 에너지가 가장 낮은 곳이 평형 상태에서 실제로 존재하는 조성이다. 1-2. 혼합에 따른 자유 에너지의 변화; 화학적 퍼텐셜..

재료상변태 [5] Binary System에서 Ideal solution과 Regular Solution재료상변태 [4] Heat Capacity(열용량), Enthalpy(엔탈피), Entropy(엔트로피), Gibbs Free Energy재료상변태 [3] 열역학 제 0법칙/ 1법칙/ 2법칙/ 3법칙재료상변태 [2] Gibbs Free Energy상변태Thermodynamics자발성/ stable/mayunchem.tistory.com 1. Chemical Potential; 물질의 에너지적인 위치Chemical Potential (화학 퍼텐셜, μ): 어떤 물질이 계(system) 안밖으로 이동할 때, 그 물질의 에너지 변화량을 나타내는 값이다. 즉, 물질의 '퍼짐 경향'을 에너지 관점에서 표현한 값..

재료상변태 [4] Heat Capacity(열용량), Enthalpy(엔탈피), Entropy(엔트로피), Gibbs Free Energy재료상변태 [3] 열역학 제 0법칙/ 1법칙/ 2법칙/ 3법칙재료상변태 [2] Gibbs Free Energy상변태Thermodynamics자발성/ stable/ 구동력의 크기 (gibbs free Energy)Kinetics얼마나 '빠르게' 일어나는가?  1. Gibbs Free Energymayunchem.tistory.com  1. Kinetic Barrier 이 그래프에서 kinetic적인 특성을 좌우하는 것은 무엇일까?  이 그래프에서 Kinetic적인 특성을 좌우하는 것은 △Ga의 값이다. 이때, △Ga의 값이 너무 커지면 Meta-stable한 상태가 된다..

박막공학 [5] Wafer의 제조, 단결정 성장 이론, 편석 계수 등박막공학 [4] MOSFET의 구성과 작동 원리, 주요 term박막공학 [3] Defect/ 불순물/ 고용 포화도(Solid Solubility)박막공학 [2] 반도체의 Band 구조와 Mobility박막공학 [1] 정의, 소재와 소자, 반도체의 분류와 집mayunchem.tistory.com  Thermal Oxidation은 크게 2가지로 나눌 수 있다. 하나는 Dry Oxidation이고, 다른 하나는 Wet Oxidation이다. 이들은 산소 기체 혹은 수증기를 사용하느냐에 따라 나눌 수 있다. Oxidation 방식에 대해 다루기 전, Si에 Oxidation 공정으로 만들 수 있는 SiO2에 대해 알아보자.  1. SiO2의 ..

박막공학 [4] MOSFET의 구성과 작동 원리, 주요 term박막공학 [3] Defect/ 불순물/ 고용 포화도(Solid Solubility)박막공학 [2] 반도체의 Band 구조와 Mobility박막공학 [1] 정의, 소재와 소자, 반도체의 분류와 집적도1. 박막공학이란?박막 공학이란, 기판의 표mayunchem.tistory.com 1. Wafer의 제조 과정Wafer는 반도체 제품의 가판으로, 고순도 정련 + 단결정 성장 + 평탄화 과정을 통해 제작되며 N형 혹은 P형으로 제작된다.   1-1. Si 순도 키우기 (고순도 Si)  Si(실리콘)은 보통 자연 상태에서 암석이나 흙의 형태 (Ex. CaSiO3) 로 존재한다. 따라서 반도체 공정에 이를 쓰기 위해서는 환원과 불순물을 제거하는 과정이 ..

박막공학 [3] Defect/ 불순물/ 고용 포화도(Solid Solubility)박막공학 [2] 반도체의 Band 구조와 Mobility박막공학 [1] 정의, 소재와 소자, 반도체의 분류와 집적도1. 박막공학이란?박막 공학이란, 기판의 표면에 단층 혹은 다층의 박막을 형성하고 미세한 형태mayunchem.tistory.com 1. MOSFET MOSFET은 기본적으로 Source, Drain, Gate로 구성된다. Source와 Drain에 V_ds를 가하고 흐르는 전류 I_ds를 Gate Voltage(V_G)로 control 할 수 있다. 1-1. NMOS의 작동 원리 V_ g = 0 [V] Gate에 전압을 가하지 않으면, I_ds가 흐르지 않는 OFF 상태가 된다. V_ g > 0 [V] ..

박막공학 [2] 반도체의 Band 구조와 Mobility박막공학 [1] 정의, 소재와 소자, 반도체의 분류와 집적도1. 박막공학이란?박막 공학이란, 기판의 표면에 단층 혹은 다층의 박막을 형성하고 미세한 형태로 가공하여 재료의 기계적, 광학적, 전기mayunchem.tistory.com 1. Defect (결함) 물질에는 다양한 종류의 Defect이 존재한다. 1-1. 결함의 영향 결함은 물질에 많은 영향을 끼친다. 1) Defect의 Energy Level이 Eg 중앙에 위치할 경우, Recombination이 많이 일어날 수 있다. recombination이 많이 일어나면, 전자와 정공을 잡아당겨 재결합을 시키고 이로 인해 전자 - 정공 쌍의 수명이 짧아져 광센서, 태양 전지, LED 등의 효율..

결정구조 및 분석 [3] Ceramic Crystal Structure결정구조 및 분석 [2] Glass/ Amorphous, meta- stable, APF1. Glass: random  배열 + Glass Transition(열적 유리 전이) cf. amorphous ⊃ glassAmorphous(비정질): 고체의 한 형태로, 원자나 분자가 장거리 질서를 가지지 않mayunchem.tistory.com 1. Unit Cell (단위 정)Unit Cell(단위 정): 결정 구조에서 반복되는 가장 작은 구조적 단위를 의미한다.  단위 격자의 종류는 7개의 격자 계(crystal system)과 14개의 브라베 격자(Bravais Lattice)로 나뉜다. 1-1. 7가지 격자 계 격자 계는 아래로 갈수록..

박막공학 [1] 정의, 소재와 소자, 반도체의 분류와 집적도1. 박막공학이란?박막 공학이란, 기판의 표면에 단층 혹은 다층의 박막을 형성하고 미세한 형태로 가공하여 재료의 기계적, 광학적, 전기적, 자기적, 열적 등의 기능을 만드는 기술이다. 현재mayunchem.tistory.com 1. 반도체의 Band 구조 우리가 아는 기본적인 반도체 기본 band의 구조이다. Metal/ Semi Conductor/ Insulator에서 Band gap 등의 모습이 다양한 것을 확인할 수 있다. 1-1. 반도체에서 자유전자 & 정공의 생성 외부의 전자기파 에너지나 온도 에너지가 Eg를 넘게 되면 Valence Band에 있는 전자가 Conduction Band로 여기되어 자유 전자와 자유 정공을 갖..