2025.04.10 - [학교 수업/재료상변태] - 재료상변태 [9] Isomorphous 합금에서 평형 냉각 & Gibbs Free Energy 재료상변태 [9] Isomorphous 합금에서 평형 냉각 & Gibbs Free Energy재료상변태 [8] 온도와 Gibbs Free Energy, Liquidus Line / Solidus Line, Lever Rule, 조성의 표현 방법재료상변태 [7] Single/ Binary Phase에서 Equilibrium Condition과 Unlimited Solubility & Ideal Solution 등재료상변태 [6] Chemicalmayunchem.tistory.com 1. Ω_mix (S) > 0 , Ω_mix(L) = 0 Liquid는 idea..

결정구조 및 분석 [6] Bravais Lattice와 원칙결정구조 및 분석 [5] 등방성과 이방성, 방위와 집합조직, Lattice와 Basis결정구조 및 분석 [4] Unit Cell, Crystal Plane, XRD pattern/ Bragg's Law결정구조 및 분석 [3] Ceramic Crystal Structure결정구조 및 분석 [2] Glassmayunchem.tistory.com 1. Binary sys에서 Phase Diagram Solid Solution: 한 결정물질에 어떤 불순물이 섞여 들어와도 그 결정 구조를 바꾸지 않는 것- Interstitial / Substitional 불순물 존재 500 도 ~ 657 도 사이에서는 NaCl와 KCl의 구분이 어려운 Solid So..

결정구조 및 분석 [5] 등방성과 이방성, 방위와 집합조직, Lattice와 Basis결정구조 및 분석 [4] Unit Cell, Crystal Plane, XRD pattern/ Bragg's Law결정구조 및 분석 [3] Ceramic Crystal Structure결정구조 및 분석 [2] Glass/ Amorphous, meta- stable, APF1. Glass: random 배열 + Glass Transition(열적 유리 전mayunchem.tistory.com 1. Bravais Lattice(브라베 격자) 브라베 격자란, 3차원에서 가능한 격자 배열의 기본 틀을 의미한다. 격자점이 공간 전체를 주기적으로 채우는 가장 기본적인 방식이다. 지금까지 다룬 내용을 바탕으로 흐름을 살펴보면, ..

결정구조 및 분석 [4] Unit Cell, Crystal Plane, XRD pattern/ Bragg's Law결정구조 및 분석 [3] Ceramic Crystal Structure결정구조 및 분석 [2] Glass/ Amorphous, meta- stable, APF1. Glass: random 배열 + Glass Transition(열적 유리 전이) cf. amorphous ⊃ glassAmorphous(비정질): 고체의 한 형태로,mayunchem.tistory.com 1. 등방성과 이방성 '등방성'이란 어떤 물질이나 성질이 모든 방향에서 동일한 경우를 의미한다. 즉, 방향에 따라 물질의 성질(열 전도도, 전기 전도도, 기계적 강도 등)이 달라지지 않는다. '이방성'이란, 어떤 물질이나 성질이..

박막공학 [10] 확산 공정(Diffusion)의 두 가지 단계/ Diffusion 반응식과 공정 장비우리가 지난 시간에 Dopant의 주입 방식 중 하나가 Diffusion 방식이었고, 다른 하나는 Ion Implantation 방식이었다. 오늘은 이 중에서 Diffusion의 두 가지 단계에 대해 다루어 보겠다. 1. Pre-Deposition (선 증mayunchem.tistory.com 1. 외인성 확산 (Extrinsic Diffusion) 외인성 확산이란, 확산 계수가 일정하지 않고 농도에 따라 변하는 확산을 말한다. 확산이 진행되는 영역에서의 도펀트 농도가 자체 Carrier Concentration보다 큰 경우 발생한다. 이 경우 확산 계수가 일정하지 않고, 도핑 농도에 의해 영향을 받..

우리가 지난 시간에 Dopant의 주입 방식 중 하나가 Diffusion 방식이었고, 다른 하나는 Ion Implantation 방식이었다. 오늘은 이 중에서 Diffusion의 두 가지 단계에 대해 다루어 보겠다. 1. Pre-Deposition (선 증착 단계) 선 증착 단계란, dopant를 Si의 표면에 증착하는 공정으로 표면 근처에 도핑 원소의 농도를 원하는 표면 농도(Q_DOSE)까지 불순물을 포화상태로 공급하는 것이다. 산화막 없이 증착하거나 얇은 산화막 위에 증착하는 방식으로, 표면 위에 올려 놓기 때문에 표면 농도가 일정하고, erfc형 농도 분포를 가진다. 아래 그래프를 살펴보자.C_s는 확산 온도의 고용 포화도로, 시간에 대한 함수이다. x축은 확산 깊이를 무차원한 축으로,..

박막공학 [8] Si/ SiO2의 계면 결함과 비파괴 측정 방식박막공학 [7] Si의 Oxidation의 두 가지 방식과 장비, 영향을 주는 요인박막공학 [6] SiO2의 성질과 용도, 결정 구조 (Intrinsic / Extrinsic)박막공학 [5] Wafer의 제조, 단결정 성장 이론, 편석 계수 등박막공학mayunchem.tistory.com 1. 이온 주입의 2가지 방식 (Diffusion/ Ion Implantation) 반도체 공정에서는 원하는 성질을 만들기 위해, 불순물을 도핑한다. 불순물을 Doping하는 방법은 크게 두 가지 방식이 있는데, 하나는 Diffusion이고 다른 하나는 Ion Implantation 방식이다. 확산 방식은 도펀트 원자가 표면에 존재하고 이를 넣는 방..

박막공학 [7] Si의 Oxidation의 두 가지 방식과 장비, 영향을 주는 요인박막공학 [6] SiO2의 성질과 용도, 결정 구조 (Intrinsic / Extrinsic)박막공학 [5] Wafer의 제조, 단결정 성장 이론, 편석 계수 등박막공학 [4] MOSFET의 구성과 작동 원리, 주요 term박막공학 [3] Defect/ 불순물/mayunchem.tistory.com 1. Si와 SiO2사이의 계면과 계면 결함 이상적인 Si와 SiO2 사이의 계면의 모습은 다음과 같다. 하지만, 실제 interface의 모습을 살펴보면 많은 결함을 가지고 있다. 사진에서 볼 수 있듯이, 실제로는 Dangling Bond를 많이 가지고 있는 모습을 보인다. Dangling Bond: 정상적인 원자 결..

박막공학 [6] SiO2의 성질과 용도, 결정 구조 (Intrinsic / Extrinsic)박막공학 [5] Wafer의 제조, 단결정 성장 이론, 편석 계수 등박막공학 [4] MOSFET의 구성과 작동 원리, 주요 term박막공학 [3] Defect/ 불순물/ 고용 포화도(Solid Solubility)박막공학 [2] 반도체의 Band 구조와 Momayunchem.tistory.com1. Si의 Oxidation 의 두 가지 방법 Si은 크게 두 가지 방법으로 Oxidation을 한다. Dry/ Wet Oxidation 방법이 그 두 가지 이다. 1-1. Wet Oxidation (습식 산화)Si (solid) + 2H₂O (gas) → SiO₂ (solid) + 2H₂ (gas) 위의 화학식과 같은..

재료상변태 [8] 온도와 Gibbs Free Energy, Liquidus Line / Solidus Line, Lever Rule, 조성의 표현 방법재료상변태 [7] Single/ Binary Phase에서 Equilibrium Condition과 Unlimited Solubility & Ideal Solution 등재료상변태 [6] Chemical potential과 Activity/ Activity Coefficient재료상변태 [5] Binary System에서 Ideal solution과 Regular Solutmayunchem.tistory.com 1. Isomorphous 합금의 Equilibrium Cooling에서 미세 조직 형성 과정Isomorphous System: 두 금속 원소가 고..