반도체 공정 [28] 반도체 테스트 공정 (1) 테스트 공정과 종류반도체 공정 [27] CMP( Chemical - Mechanical Polishing ) 공정반도체 공정 [26] Doping 공정 (3) 에피택시 성장법(Epitaxial Growth)2025.02.18 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주입공정mayunchem.tistory.com   웨이퍼 테스트와 모듈 테스트, 그리고 모듈 테스트에서의 공통 장비로는 주 검사 장비와 번인 장비가 있으며, 각 테스트 공정에서 필요한 추가 장비는 다음과 같다. 웨이퍼 상태에서 칩의 정상여부를 테스트하기 위해 주 검사장비(Main Tester)와 웨이퍼를 전기적으로 연결하는 프로브 스테이션(Probe ..

반도체 공정 [27] CMP( Chemical - Mechanical Polishing ) 공정반도체 공정 [26] Doping 공정 (3) 에피택시 성장법(Epitaxial Growth)2025.02.18 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주입공정(Implantation) 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주mayunchem.tistory.com  반도체 제품을 만들기 위해서는 원하는 기능을 할 수 있도록 칩(chip)을 설계해야한다. 그리고 설계된 칩을 웨이퍼(Wafer)의 형태로 제작해야한다. 웨이퍼는 칩이 반복 배열되어있어서, 공정이 다 진행된 웨이퍼를 보면 '격자 모양'을 확인할 수 있다. 격자 하나가 바로 한 개의 '칩'이다...

반도체 소자 [10] MOSFET (6) Channel(채널)과 증가형 / 공핍형반도체 소자 [9] MOSFET (5) MOSFET에서의 I-V 특성 (Pinch-Off/ Saturation)반도체 소자 [8] MOSFET (4) MOSFET에서 상태 별 캐리어의 움직임과 I-V 특성 (Cut-Off/ Linear)반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원mayunchem.tistory.com    반도체 가격은 동일한 조건일 경우 매년 약 30% 씩 떨어진다. 이를 보상하기 위해서는, 반도체 칩의 한정된 크기 내에서 트랜지스터(TR)의 개수를 늘려야 한다. 하지만, 이것도 뾰족한 방도가 없기 때문에 결국 Scaling Down 방식으로 TR의 크기를 물리적으로 줄여야 한다. ..

반도체 소자 [9] MOSFET (5) MOSFET에서의 I-V 특성 (Pinch-Off/ Saturation)반도체 소자 [8] MOSFET (4) MOSFET에서 상태 별 캐리어의 움직임과 I-V 특성 (Cut-Off/ Linear)반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원리반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOSmayunchem.tistory.com    이번 내용은 SK 하이닉스 뉴스룸의 내용을 요약 및 정리하였다. [반도체 특강] Channel, MOSFET라는 세상의 다리MOSFET은 인간이 만든 생산품 중 가장 많이 팔린 제품입니다news.skhynix.co.kr      MOSFET은 인간이 만든 생산품 중 가..

반도체 소자 [8] MOSFET (4) MOSFET에서 상태 별 캐리어의 움직임과 I-V 특성 (Cut-Off/ Linear)반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원리반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 -mayunchem.tistory.com  3. 핀치 오프(Pinch-Off) (Vg = Vth, Vd = Vdsat  = Vg - Vth)  핀치 오프에 대해 알기 전 Avalanche 현상에 대해 알아보자.   활성 영역에서 게이트 전압을 그대로 두고 드레인 전압을 계속해서 높이면 어..

반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원리반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1mayunchem.tistory.com   MOSFET의 동작 원리를 게이트와 드레인에 인가되는 전압에 따라 나눠서 살펴보도록 하자. 입력 신호의 전달(Id-Vg)  및 출력(Id-Vd)특성에 대해서도 살펴보자.  복잡한 전위 설명을 피하기 위해, 특별한 설명이 없는 한 소스(Source) 단자를 접지시켜 (Vs = 0V) 각 단자의 기준 ..

반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Enermayunchem.tistory.com  MOSFET의 정의  FET는 Field - Effect - Transistor의 약자로, '전기장에 의해 동작을 결정하는 트랜지스터 소자'를 의미한다.  MOSFET은 MOS 구조를 가진 FET으로, MOS 커패시터의 반도체 양단에 소스, 드레인 단자가 형성되어있는 소자이다. 게이트와 기판의 MOS Capacitor동작으로..

반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdmayunchem.tistory.com   문턱 전압(ThreShold Voltage)의 정의  문턱 전압은 공핍 상태에서 반전 상태로 변하는 전압을 의미한다. 저항의 입장에서 본 문턱 전압은, 전류가 흐르지 않던 상태가 전류가 흐르는 상태로 반전되는 시점의 전위 장벽인 전압을 의미한다. 전류가 흐르기 시작하면 문턱 전압으로 인한 저..

반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdow반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resismayunchem.tistory.com   이번 시간에는 굉장히 중요한 소자인 MOSFET에 대해 알아보자. MOS Capacitor의 구조   MOS 커패시터는 Metal - Oxide - Semiconductor Capacitor의 약자로, 금속 - 산화막 - 반도체의 접합 구조를 가지는 커패시터를 의미한다. MOS Capacitor는 금속..

반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdow반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)반도체 물질로 만든 전mayunchem.tistory.com  BJT는 가장 먼저 개발된 트랜지스터 소자이다. 트렌지스터는 Trans + Resistor를 합친 말로, 특정 조건에 따라 저항이 변하는 소자를 의미한다. 따라서, 입력 조건인 전압이나 전류에 의해 소자에 흐르는 전류량을 변화시키는 소자를 트랜지스터라고 한다. BJT(Bipolar Junction..