반도체 소자 [10] MOSFET (6) Channel(채널)과 증가형 / 공핍형반도체 소자 [9] MOSFET (5) MOSFET에서의 I-V 특성 (Pinch-Off/ Saturation)반도체 소자 [8] MOSFET (4) MOSFET에서 상태 별 캐리어의 움직임과 I-V 특성 (Cut-Off/ Linear)반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원mayunchem.tistory.com    반도체 가격은 동일한 조건일 경우 매년 약 30% 씩 떨어진다. 이를 보상하기 위해서는, 반도체 칩의 한정된 크기 내에서 트랜지스터(TR)의 개수를 늘려야 한다. 하지만, 이것도 뾰족한 방도가 없기 때문에 결국 Scaling Down 방식으로 TR의 크기를 물리적으로 줄여야 한다. ..

반도체 소자 [9] MOSFET (5) MOSFET에서의 I-V 특성 (Pinch-Off/ Saturation)반도체 소자 [8] MOSFET (4) MOSFET에서 상태 별 캐리어의 움직임과 I-V 특성 (Cut-Off/ Linear)반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원리반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOSmayunchem.tistory.com    이번 내용은 SK 하이닉스 뉴스룸의 내용을 요약 및 정리하였다. [반도체 특강] Channel, MOSFET라는 세상의 다리MOSFET은 인간이 만든 생산품 중 가장 많이 팔린 제품입니다news.skhynix.co.kr      MOSFET은 인간이 만든 생산품 중 가..

반도체 소자 [8] MOSFET (4) MOSFET에서 상태 별 캐리어의 움직임과 I-V 특성 (Cut-Off/ Linear)반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원리반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 -mayunchem.tistory.com  3. 핀치 오프(Pinch-Off) (Vg = Vth, Vd = Vdsat  = Vg - Vth)  핀치 오프에 대해 알기 전 Avalanche 현상에 대해 알아보자.   활성 영역에서 게이트 전압을 그대로 두고 드레인 전압을 계속해서 높이면 어..

반도체 소자 [7] MOSFET (3) MOSFET의 정의와 동작 원리반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1mayunchem.tistory.com   MOSFET의 동작 원리를 게이트와 드레인에 인가되는 전압에 따라 나눠서 살펴보도록 하자. 입력 신호의 전달(Id-Vg)  및 출력(Id-Vd)특성에 대해서도 살펴보자.  복잡한 전위 설명을 피하기 위해, 특별한 설명이 없는 한 소스(Source) 단자를 접지시켜 (Vs = 0V) 각 단자의 기준 ..

반도체 소자 [6] MOSFET (2) 문턱 전압반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Enermayunchem.tistory.com  MOSFET의 정의  FET는 Field - Effect - Transistor의 약자로, '전기장에 의해 동작을 결정하는 트랜지스터 소자'를 의미한다.  MOSFET은 MOS 구조를 가진 FET으로, MOS 커패시터의 반도체 양단에 소스, 드레인 단자가 형성되어있는 소자이다. 게이트와 기판의 MOS Capacitor동작으로..

반도체 소자 [5] MOSFET (1) MOS Capacitor반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdmayunchem.tistory.com   문턱 전압(ThreShold Voltage)의 정의  문턱 전압은 공핍 상태에서 반전 상태로 변하는 전압을 의미한다. 저항의 입장에서 본 문턱 전압은, 전류가 흐르지 않던 상태가 전류가 흐르는 상태로 반전되는 시점의 전위 장벽인 전압을 의미한다. 전류가 흐르기 시작하면 문턱 전압으로 인한 저..

반도체 소자 [4] BJT(Bipolar Junction Transistor)반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdow반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resismayunchem.tistory.com   이번 시간에는 굉장히 중요한 소자인 MOSFET에 대해 알아보자. MOS Capacitor의 구조   MOS 커패시터는 Metal - Oxide - Semiconductor Capacitor의 약자로, 금속 - 산화막 - 반도체의 접합 구조를 가지는 커패시터를 의미한다. MOS Capacitor는 금속..

반도체 소자 [3] 다이오드 (2) 금속 - 반도체 접합 (MS junction)반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdow반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)반도체 물질로 만든 전mayunchem.tistory.com  BJT는 가장 먼저 개발된 트랜지스터 소자이다. 트렌지스터는 Trans + Resistor를 합친 말로, 특정 조건에 따라 저항이 변하는 소자를 의미한다. 따라서, 입력 조건인 전압이나 전류에 의해 소자에 흐르는 전류량을 변화시키는 소자를 트랜지스터라고 한다. BJT(Bipolar Junction..

반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdow반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)반도체 물질로 만든 전자 부품을 '반도체 소자(Semiconductor Device)'라고 한다. 반도체 소자는 증폭이나 전기 에너지의 변환mayunchem.tistory.com   지난 시간에는 PN 다이오드에 대해 알아보았다. PN 다이오드를 설명할 때는 하나의 가정을 기본으로 설명한느데, 이는 반도체 소자가 외부와 연결되는 단자가 이상적이라는 것이다. 하지만, 실제로는 반도체의 외부 연결부인, 금속- 반도체 접합은 이상적인 동작을 ..

반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)반도체 물질로 만든 전자 부품을 '반도체 소자(Semiconductor Device)'라고 한다. 반도체 소자는 증폭이나 전기 에너지의 변환과 같은 능동적 기능을 하느냐 하지 않느냐에 따라 '능동 소자(Active Device)'mayunchem.tistory.com  PN 다이오드(PN diode)  다이오드는 두 개의 단자로 구성되고, 주로 한 방향으로만 전류가 흐르도록 만든 소자이다. 반도체의 구성에 따라 PN 다이오드, 쇼트키 다이오드 등이 있으며 이 외에도 빛을 내기 위한 목적의 LED 등의 특수한 다이오드도 존재한다. 단자: 전가회로나 전자기기 등이 외부의 회로와 연결된 부분  PN ..