반도체 공학 [3] 반도체 공학 기초 (2) FCC, diamond structure의 Atomic Packing Factor(APK)/ Surface Density 계산반도체 공학 [2] 반도체 공학 기초 (1)반도체 공학 [1] 전자기학의 기초 - 전하, 전류, 전자기장, 전위, 저항, 이동도반도체 공학에 대하여 알기 전, 가장 먼저 전자기학에서 사용되는 개념과 기본mayunchem.tistory.com   물질은 기본적으로 이상적으로 결함이 없는 상태로 존재하지 않는다. 보통 수많은 Dislocation이나 Defect이 존재하는데, 오늘은 가볍게 이것들에 대해 알아보겠다.  Imperfection 1) point defect   첫번 째로 점 결함(point defect)에 대해 알아보자.  0차..

반도체 공학 [2] 반도체 공학 기초 (1)반도체 공학 [1] 전자기학의 기초 - 전하, 전류, 전자기장, 전위, 저항, 이동도반도체 공학에 대하여 알기 전, 가장 먼저 전자기학에서 사용되는 개념과 기본 단위들을 알 필요가 있다. 이번 시간mayunchem.tistory.com   이번 시간에는 기본 개념을 살짝 넘어서, 응용 문제를 풀어보자.  문제 1.  Assume that each atom is hard sphere with the surface of each atom in contact with the surface of its nearest neighbor. Determine the percentage of total unit cell volume that is occupied in (a) a..

반도체 공학 [1] 전자기학의 기초 - 전하, 전류, 전자기장, 전위, 저항, 이동도반도체 공학에 대하여 알기 전, 가장 먼저 전자기학에서 사용되는 개념과 기본 단위들을 알 필요가 있다. 이번 시간에는 전자기학에서의 기초 개념들에 대해 알아보자.  1. 전하(charge, Q) : 어떤mayunchem.tistory.com  이번시간에는 이전시간에 이어서 반도체 공학에 대해 공부하기 전 알아야 할 간단한 개념들에 대해 알아보자.   공유 결합 vs. 이온 결합 공유 결합이온 결합결합력크다작다극성non-polarpolar  Solid 의 주기성에 따른 분류 분류Amorphorous(비정질)Poly-CrystallineSingle crystal설명규칙성과 주기성이 없음- short range에서 규칙적- g..

반도체 공학에 대하여 알기 전, 가장 먼저 전자기학에서 사용되는 개념과 기본 단위들을 알 필요가 있다. 이번 시간에는 전자기학에서의 기초 개념들에 대해 알아보자.  1. 전하(charge, Q) : 어떤 물질이 가지고 있는 전기의 양  전하는 물질이 가지고 있는 고유한 전기적 성질이자, 수많은 전기현상을 일으키는 원인이다. 전하에는 (+) 전기, (-) 전기가 있으며 같은 극 끼리는 척력(반발력)이 존재하고, 다른 극 끼리는 인력(끌어당기는 힘)이 존재한다.        2. 전류(current, I): 전하의 흐름을 나타내는 것으로, 단위 시간동안에 흐른 전하의 양.  이때, 전류의 방향은 이동하는 전하의 극성에 따라 결정되며 양전하의 이동방향과 같고 전자의 이동방향과는 반대가 된다.  전하는 그 자체..

2025.02.08 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [20] Disordered Boundary에서의 Particle Strengthening 재료탄소성학 [20] Disordered Boundary에서의 Particle Strengthening2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [19] Coherent boundary에서의 Particle Strengthening 재료탄소성학 [19] Coherent boundary에서의 Particle Strengthening2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [18] Solid Solutimayunchem.tistory.com   우리는 이전시간에 coherent boundary와 disordered boundary에 대해..

2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [19] Coherent boundary에서의 Particle Strengthening 재료탄소성학 [19] Coherent boundary에서의 Particle Strengthening2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [18] Solid Solution Strengthening 재료탄소성학 [18] Solid Solution Strengthening2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [17] Boundary Strengthening, Microscopic Yield Point 재mayunchem.tistory.com    지난 시간에는 Coherent Boundary에 대해 다루어보았다.이번 시간에는 dis..

2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [18] Solid Solution Strengthening 재료탄소성학 [18] Solid Solution Strengthening2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [17] Boundary Strengthening, Microscopic Yield Point 재료탄소성학 [17] Boundary Strengthening, Microscopic Yield Point2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [16] Strong/ Weak Obsmayunchem.tistory.com  Particle Strengthening은 크게 3 종류로 나뉜다.   이들 중, coherent Boundary에서 particle ..

2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [17] Boundary Strengthening, Microscopic Yield Point 재료탄소성학 [17] Boundary Strengthening, Microscopic Yield Point2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [16] Strong/ Weak Obstacle 재료탄소성학 [16] Strong/ Weak Obstacle2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [15] Geometrically Necessary Dislocation 재료탄소성학 [15] Geometrmayunchem.tistory.com   pure한 atom으로 가득한 격자가 존재한다고 가정하자. 이때, host보다 큰 ato..

2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [16] Strong/ Weak Obstacle 재료탄소성학 [16] Strong/ Weak Obstacle2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [15] Geometrically Necessary Dislocation 재료탄소성학 [15] Geometrically Necessary Dislocation2025.02.04 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [14] Resolved Shear Stress 재료탄소성mayunchem.tistory.com   이번 시간에는 Boundary Strengthening에 대해 알아보자. Boundary Strengthening  면이 맞닿아 있는 상황에서 발생하는 현상으로,   다음 그림과 같..

2025.02.05 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [15] Geometrically Necessary Dislocation 재료탄소성학 [15] Geometrically Necessary Dislocation2025.02.04 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [14] Resolved Shear Stress 재료탄소성학 [14] Resolved Shear Stress2025.02.04 - [재료탄소성학] - 재료탄소성학 [13] 보충) Plastic Deformation의 통계적 해석 재료탄소성학mayunchem.tistory.com 물질의 Strengthing을 하는 방법에는 크게 두 개가 있다. 첫째는 doping을 이용하는 방법이다.두번째는 Soft와 Hard 재료를 이용하는 방법이 있다. ..