CDs(임계치수)가 계속해서 축소됨에 따라서, 기기의 전력 소비를 줄리고 성능 속도를 향상 시키는 것이 접촉부와 inter connect 성능에 의해 게속해서 제한되고 있으며 7nm 노드 이후에는 tungsten의 gapfill의 저항 증가로 인해 전력 소비가 증가하고, 칩의 성능이 저하되고 있다.  이러한 상황에서 새롭게 부상하는 물질이 바로 cobalt(코발트)이다. 코발트는 본질적으로 텅스텐보다 저항이 낮으며, 접촉부를 생성하는 프로세스의 흐름은 성능을 향상 시키고, 변동성을 감소시켜 수율을 개선한다. 또한, interconnect에서 cobalt는 구리보다 우수한 라인 및 저항 스케일링, 적은 electro-mgiration을 보여주며 더 높은 전류 밀도를 가능하게 한다.  위에 해당하는 제품군은..

텅스텐- 낮은 저항, 최소한의 electro-migration을 가짐- logic, 메모리 소자에서 contact(트렌지스터를 집적회로의 나머지 부분과 연결)역할- 중간 라인(최저 레벨)의 인터커넥트 충진 재료로의 사용 - 이전 nm에서는 크기가 컸기 때문에 정합 CVD 증착을 이용한 충진 집적화- 오늘날에는 위와 같은 정합 CVD 증착 통한 구현이 어려움(소형화, re-entrant 특성) = 따라서 결함이 생기기 쉬움 (수율 저하, 소자 고장 등)- 공극이 생기기 쉬움- 중앙에 빈틈이 생기기 쉬움 Electro-migration: 전도성 전자와 확산되는 금속 원자 사이의 운동량 전달로 인해 도체 내에서 이온이 움직여 발생하는 물질의 이동 Centura iSprint ALD/CVD SSW 시스템은 고유..

이 기기는 고밀도의 플라즈마 CVD공정을 제공한다.  이 시스템은 웨이퍼의 탁월한 갭필(gapfill) 기능을 위한 듀얼 RF 코일(coil)을 갖추고 있으며,  정전 척(electrostatic chuck)은 탁월한 필름 품질과 균일성을 제공하며, 원격 플라즈마 세정 기능을 결합하여 탁월한 결함 및 평균-웨이퍼 간 성능을 제공합니다. 적용가능 어플리케이션- STI, PMD, ILD, passivation에 도핑과 무도핑 필름 모두 증착 가능 확장기능- 에치백(etcjback)- 고밀도의 플라즈마 처리플라즈마 : 물질의 상태로, 고체, 액체, 기체가 모두 아니다. 전자가 원자에서 떨어져 나와 독립적으로 움직일 수 있으며 개별원자는 양전하와 음전하의 총 수가 동일하더라도 charge되어 전기적 중성을 유지..

Centura® DXZ CVD   첨단 MEMS,  전력 소자 및 패키징 분야의 어플리케이션은 150mm와 200mm의 CVD 첨단 기술의 필요성을 주도한다. 이러한 신기술의 요구에 충족하기 위해 필요한 조건은 다음과 같다. - 초후막 산화층(≥20µm), 저온(180°C~350°C), 정합, 낮은 습식 식각률 필름, 굴절 지수를 조절하는 도핑 필름  이 필름은 TEOS, 실란 기반 산화물, 질산염, low-k 유전체, 변형공학, 리소그래피 구현 필름 등 Centura DXZ CVD 시스템에서 처리 가능한 다양한 포트폴리오에 해당한다.  이 공정 기기는, 다양한 도핑과 무도핑 갭필 솔루션을 구현하며 공정은 트렌치 소자분리(STI), 전금속 유전체(PMD), 층간 절연체(ILD), 금속간 절연체(IMD) ..