반도체 소자 [2] 다이오드 (1) PN 다이오드 ( 푸아송 방정식, Energy band diagram, forward/reverse bias, breakdow반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)반도체 물질로 만든 전자 부품을 '반도체 소자(Semiconductor Device)'라고 한다. 반도체 소자는 증폭이나 전기 에너지의 변환mayunchem.tistory.com   지난 시간에는 PN 다이오드에 대해 알아보았다. PN 다이오드를 설명할 때는 하나의 가정을 기본으로 설명한느데, 이는 반도체 소자가 외부와 연결되는 단자가 이상적이라는 것이다. 하지만, 실제로는 반도체의 외부 연결부인, 금속- 반도체 접합은 이상적인 동작을 ..

반도체 소자 [1] 수동 소자: 저항기(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)반도체 물질로 만든 전자 부품을 '반도체 소자(Semiconductor Device)'라고 한다. 반도체 소자는 증폭이나 전기 에너지의 변환과 같은 능동적 기능을 하느냐 하지 않느냐에 따라 '능동 소자(Active Device)'mayunchem.tistory.com  PN 다이오드(PN diode)  다이오드는 두 개의 단자로 구성되고, 주로 한 방향으로만 전류가 흐르도록 만든 소자이다. 반도체의 구성에 따라 PN 다이오드, 쇼트키 다이오드 등이 있으며 이 외에도 빛을 내기 위한 목적의 LED 등의 특수한 다이오드도 존재한다. 단자: 전가회로나 전자기기 등이 외부의 회로와 연결된 부분  PN ..

반도체 물질로 만든 전자 부품을 '반도체 소자(Semiconductor Device)'라고 한다. 반도체 소자는 증폭이나 전기 에너지의 변환과 같은 능동적 기능을 하느냐 하지 않느냐에 따라 '능동 소자(Active Device)'나 '수동 소자(Passive Device)'로 나뉜다.  수동 소자는 증폭이나 전기 에너지의 변환과 같은 능동적 기능을 하지 않는 소자로 에너지를 단지 소비, 축적, 혹은 그대로 통과시키는 작용 등 수동적인 작용만 한다. 수동소자는 외부전원이 필요없이 단독으로 동작이 가능하며, 제작이 된 후에는 입력 조건에 의한 소자의 특성 변화가 불가능하며 특정 상황에 알맞게 전류나 전압이 인가되지 않은 상태에서 이미 결정되어있는 소재이다. 대표적으로는, 저항기(Resistor), 인덕터(I..

반도체 공정 [26] Doping 공정 (3) 에피택시 성장법(Epitaxial Growth)2025.02.18 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주입공정(Implantation) 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주입공정(Implantation)반도체 공정 [24] Doping 공정 (1) 확산 공정반도mayunchem.tistory.com  'Polishing'이라는 단어는 구두나 손톱의 광을 내는 작업을 할 때 사용되는 용어로, 한국말로는 연마라고 한다. 기본적으로 연마공정은 거친 표면을 갈아내어 광택이 날 정도로 평펴안 표면을 만드는 것인데, 반도체 공정에서의 연마는 웨이퍼의 표면에 생성된 산화막, 금속막 등의 박막을 화학적 작용..

2025.02.18 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주입공정(Implantation) 반도체 공정 [25] Doping 공정 (2) 이온주입공정(Implantation)반도체 공정 [24] Doping 공정 (1) 확산 공정반도체 공정 [23] 산화 공정(Oxidation) (2) 산화막 성장, Deal -Grove Model2025.02.17 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1) LOCOS, STI 공mayunchem.tistory.com   에피택시 성장법(Epi)는 최근 20 나노 이하의 미세 구조의 반도체에서 매우 중요한 공정 중에 하나이다. 과거에는 주로 화합물 반도체를 중심으로 단결정..

반도체 공정 [24] Doping 공정 (1) 확산 공정반도체 공정 [23] 산화 공정(Oxidation) (2) 산화막 성장, Deal -Grove Model2025.02.17 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1) LOCOS, STI 공정 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1mayunchem.tistory.com    확산 공정을 통한 도핑은,  도핑 농도와 접합 깊이를 제어할 수 없고, 등방향 도핑이며, 표면 저농도 도핑이 어려운 문제가 존재한다. 따라서, 이러한 문제점들을 극복하기 위해 고안된 방법이 입자 가속기의 원리를 이용하여 불순물을 주입하는 방식인 이온주입(Ion Implantation)이다.    이온 주입기는 B..

반도체 공정 [23] 산화 공정(Oxidation) (2) 산화막 성장, Deal -Grove Model2025.02.17 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1) LOCOS, STI 공정 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1) LOCOS, STI 공정반도체 공정 [21] 금속 배선 공정 (3) Cu 전해 도금 (Elmayunchem.tistory.com  Si(실리콘)은 도핑 전에는 부도체에 가까운 특성을 가지고 있다. 실리콘을 반도체 소자로 쓰기 위해서는 B(붕소), P(인) 등의 원소를 불순물로 주입하는 도핑 과정을 통해 P형 또는 N형 반도체로 만들어야 한다. 확산 공정을 통해 불순물을 주입하는 과정은 불순물을 주입하는 Pr..

2025.02.17 - [반도체 공부/반도체 공정] - 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1) LOCOS, STI 공정 반도체 공정 [22] 산화 공정(Oxidation) (1) LOCOS, STI 공정반도체 공정 [21] 금속 배선 공정 (3) Cu 전해 도금 (Electroplating): 다마신(Damascene) 공정반도체 공정 [20] 금속 배선 공정 (2) 알루미늄 배선과 구리 배선반도체 공정 [19] 금속 배선 공정 (1) MOL 공정: 실mayunchem.tistory.com  실리콘 웨이퍼는 공기 중에만 노출되어도 10 옴스트롱 정도의 자연 산화막이 형성된다. 그러나 반도체 소자는 보다 두꺼우면서 품질이 좋은 산화막을 필요로 한다. 따라서, 고온에서 산소 환경을 형성 ..

반도체 공정 [21] 금속 배선 공정 (3) Cu 전해 도금 (Electroplating): 다마신(Damascene) 공정반도체 공정 [20] 금속 배선 공정 (2) 알루미늄 배선과 구리 배선반도체 공정 [19] 금속 배선 공정 (1) MOL 공정: 실리사이드(Silicide) 공정, W-plug 공정반도체 공정 [18] 박막공정 (4) ALD(Atomic Layer Deposition)mayunchem.tistory.com   Si(실리콘)은 현시점 가장 보편적인 반도체 물질로 사용되고 있다. 여러가지 이유로 실리콘이 사용되고 있지만, 가장 중요한 점은 안정된 구조의 산화물(SiO2)를 만들 수 있다는 것이다. SiO2는 흔히 모래에서 볼 수 있는 석영과 같은 물질로, 절연체가 좋은 부도체이면서 불순..

반도체 공정 [20] 금속 배선 공정 (2) 알루미늄 배선과 구리 배선반도체 공정 [19] 금속 배선 공정 (1) MOL 공정: 실리사이드(Silicide) 공정, W-plug 공정반도체 공정 [18] 박막공정 (4) ALD(Atomic Layer Deposition)반도체 공정 [16] 박막공정 (2) PVD(Physical Vapor Deposition): Evaporation,mayunchem.tistory.com   구리는 전기 전도도가 매우 높은 물질로 가정에서 쓰는 전기줄의 원료로 사용될만큼 전기적 특성이 매우 우수하다. 이전 시간에 말했듯이, 과거에는 구리 도선이 아닌 알루미늄 도선이 사용되었다. 그러나 소자가 미세화되고 Scale down이 진행되며 배선의 저항이 증가하며 신호 지연현상이 ..