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반도체 공정 [14] 식각 공정(Etch) (4) 원자층 식각법(Atomic Layer Etch, ALE)
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박막 공정은 반도체 산업의 초기부터 사용한 공정으로, 기술이 발전하면서 더 얇고 더 균일하게 증착하는 방향으로 개발되고 있다. 특히, 3차원 구조에서는 작은 트랜치의 측벽과 바닥에 균일한 막을 형성하기 위해 많은 공정 방법이 개발되고있다.
박막(thin film)
'박막'이란 1um 이하 두께의 막을 지칭하며, 그 이상은 후막(thick Film)이라고 한다. 1um 이하의 막을 만드기 위해서 계속해서 많은 증착법이 개발되고 있지만, 대표적으로 물리적인 증착 방법과 화학적인 증착 방법에 따라 나눌 수 있다.
물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition)은 증착 물질 소스가 되는 타겟을 고진공 상태에서 에너지를 가해 기화시켜 기판에 박막으로 증착시키는 Evaporation 방법과 Sputtering방식으로 나뉜다.
화학 기상 증착 방식(CVD)의 경우에는 기체 상태의 소스 물질을 기판에 이동시킨후 에너지를 가해 반응을 시켜 막을 형성학 하는 방법이다. 이외에도 원자층 증착법 (ALD) 등이 있으며, 도금법 등이 존재한다.
다음시간에는 물리적 기상 증착 방법인 PVD에 대해 자세히 다루어보겠다.